Descoperirea efectului impedanței magnetice gigantice (efectul IMG) a adus o mare schimbare în producerea senzorilor micromagnetici, ce funcționează în gama de nano – Tesla.
Micro – senzorii sensibili și cu o inerție mică la momentul de față sunt apreciate ca elemente de avangardă pentru stabilirea de măsurători dezvoltate și sistemelor de gestionare pentru crearea de noi industrii.
Relativ noua tehnologie al senzorilor magnetici pe bază de efect al impedanței magnetice gigantice (IMG) are șanse să depășească tehnologia deja existentă de senzori, după parametri și preț mic. Senzorii IMG au așa proprietăți ca sensibilitate mare, micro-dimensiuni, consum mic de energie, ceea ce-i face unici dacă sunt comparați cu alți senzori magnetici, ca de exemplu senzor magnetorezistiv, senzor Hall și inductive.
Sensibilitatea IMG în firele amorfe este mult mare decât sensibilitatea materialelor cu magnetorezistență gigantică.
Ultima perioadă a început sp crească cererea pentru senzori micromagnetici sensibili pentru îmbunătățiri tehnologice în automatizări, mecanizări, computerizări și biotehnologii cu ajutorul măsurătorilor calitative și sitemelor de supraveghere.
Mai jos sunt prezentate mai multe tipuri de senzori:
Senzor |
Dimensiuni |
Sensibiltatea |
Viteza răspuns |
Consum |
Senzor Hall |
10~100 μm |
0,5 Oe /± 1 kOe |
1 MHz |
10 mW |
Senzor MR |
10~100 μm |
0,1 Oe /± 100 Oe |
1 MHz |
10 mW |
Senzor GMR |
10~100 μm |
0,01 Oe /± 20 Oe |
1 MHz |
10 mW |
Inductiv |
10~20 mm |
1 μOe /± 3 Oe |
5 kHz |
1 W |
Senzor MI |
1~2 mm |
1 μOe /± 3 Oe |
1 MHz |
10 mW |
Senzor SI |
1~2 mm |
0,1 Gal /± 30 Gal |
10 kHz |
5 mW |
Senzor MI este senzot nou care conține patru tehnologii:
- fir amorf (λ= -10-7) cu diametru de 15-30 microni;
- efectul impedanței magnetice descoperit în 1993 în baza efectului magnetoinductiv;
- schema CMOS FET al senzorului utilizând răspunsul efectului MI la umpuls de curent, descoperit în 1997;
- bucla pozitivă și negativă din schema electrică al senzorului pentru o sensibiliate mare .